机译:基于p沟道有机和n沟道金属氧化物晶体管的混合互补电路,具有高达10 cm(2)/ Vs的平衡载流子迁移率
机译:基于p沟道有机和n沟道金属氧化物晶体管的混合互补电路,载流子迁移率高达10cm〜2 / Vs
机译:采用n通道ZnO和p通道SnO薄膜晶体管的基于柔性互补氧化物半导体的电路
机译:具有n通道ZnO和p通道SnO薄膜晶体管的基于氧化物半导体的互补电路
机译:基于溶液加工有机和氧化物薄膜晶体管的可缩放式混合互补集成电路
机译:电子设备的新平台:N沟道有机场效应晶体管,互补电路和纳米线晶体管。
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:基于p沟道有机和n沟道金属氧化物晶体管的混合互补电路,载流子迁移率高达10 cm2 / Vs
机译:互补对称/金属氧化物半导体(CmOs)电路硬化。体积I.蓝宝石上硅(sOs)CmOs电路的制造和表征。